随着移动互联网的发展，越来越多的设备接入到移动网络中，新的服务和应用层出不穷，全球移动宽带用户在2018年有望达到90亿，到2020年，预计移动通信网络的容量需要在当前的网络容量上增长1000倍。移动数据流量的暴涨将给网络带来严峻的挑战。在大形势的影响下，5G应运而生。

      随着今年6月6日，工信部向移动、电信、联通三大运营商下发5G牌照，这也标志着中国5G时代的到来。同时，按照计划，中国也将成为全球第一批5G商用的国家之一。同时，在今年的智能手机市场上，我们也注意到，相对于4G的缓慢发酵，5G智能手机市场可以说是先于5G商用而迎来了大爆发。

      5G不仅仅是4G的增量改进，它是移动通信技术的下一个重大演变，其系统性能将提升几个数量级以上。随着5G的商用，射频前端芯片需求增加，直接推动射频前端芯片市场的成长。

      随着智能设备、无线网络技术的演进，对器件内射频系统的性能和复杂度都大幅提升。采用RF-SOI工艺，能做到提高衬底绝缘体，降低衬底寄生效应，拥有良好的射频性能，与III-V相近，同时可提供同一颗芯片上的集成逻辑控制。

     与此同时我们注意到，一方面多模多频使得射频前端芯片需求增加，直接推动射频前端芯片市场成长，Navian预测，2020年仅移动终端中射频前端芯片的市场规模将达到212亿美元，年复合增长率达15.4%;

     另一方面，更高功率输出、更高工作频段对射频器件性能和可集成能力提出了更高的挑战，例如对于Sub-6GHz频段，由于5G频段的频率更高、衰减多，未来可能还需射频套件的输出功率从原有的23dBm提升至26dBm，以支持更好的空间覆盖，这对射频器件的设计难度也提出新的挑战。

     同时，由于此前RF-SOI在4G手机射频开关应用中就占有绝对的市场优势;而高性能、大尺寸的RF-SOI衬底制备和射频开关代工技术已证明能够满足5G Sub-6 GHz应用的性能和产能需求，未来RF-SOI无疑将把持5G Sub-6GHz下的手机射频开关市场。

      随着5G的发展，未来整个射频前端供应链或迎来重构，而借此机会，中国国内的厂商也将会获得更多的发展机遇。

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