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台积电3nm制程工艺取得重大突破

发布时间:2022-04-13      点击:

来源:全球半导体观察    原作者:Viki    

   
 

据台媒《经济日报》4月13日报道,台积电高雄厂12日通过环评,预计2023年7月启动投产,比原预期提早半年。

台积电曾于2021年1月表示,公司计划在高雄设立7/28nm制程晶圆厂,预计2022年动工,2024年量产。

报道指出,台积电前进高雄盖厂再迈大步,新厂所在地“楠梓产业园区设置计划”,12日通过环评,预计今年4月底完成园区核定程序、5月土地点交及厂商取得建照,6月园区公共设施及台积电建厂就可同步动工。

据悉,台积电将于14日举行法说会,外界聚焦第二季展望、成熟制程等议题。

另据台媒《联合报》报道,近期,台积电3nm制程工艺取得重大突破,这项因开发技术限制而延误的工艺即将面世。

报道称,台积电决定2022年量产第二版3nm制程N3B,将于2022年8月份在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片,正式以鳍式场效晶体管(FinFET)架构,对决三星的环绕闸极(GAA)制程。

据了解,目前,台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片,台南工厂产能为1.5万片。

此外,台积电公布2022年第一季度营收4910.8亿元新台币,同比增长35.5%,创下历史新高。

台积电认为,高性能运算和车用电子市场需求强劲,加上代工报价调涨,以及新台币汇率相对有利,是公司第一季度营收创新高的主要动力。

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